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采用65nm工艺的SH7786双核处理器(瑞萨)
作者:   来源:21IC中国电子网 发表时间:2008-09-17  字号:  

 

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布推出一种采用65 nm工艺制造的新的SH7786双核处理器,它可以用于汽车导航系统等高性能多媒体设备。该器件可以实现高达每秒1,920百万指令(MIPS)(在533 MHz工作时为960MIPS%26#215;2)的卓越处理性能和超高速数据传输。样品将从2008年10月开始在日本交付。该器件将于2009年向瑞萨广泛的消费及工业客户供货。

瑞萨已经开发了采用90 nm工艺制造的90 nm SH7786双核处理器,实现了与65 nm工艺产品相同的处理性能。不过,65 nm工艺型号通过更加精细的工艺实现了更低功耗。并通过集成DDR3-SDRAM存储器接口实现了超高速数据传输。

新的SH7786的主要功能总结如下。
(1)1,920 MIPS卓越处理能力的两个高性能SH-4A CPU内核
新的SH7786集成了两个SH-4A高性能32位RISC CPU内核,工作在533 MHz时每个内核的处理性能为960 MIPS,可实现1,920 MIPS的最高处理性能。它可以进行复杂数据的高速处理,以满足具有图形显示能力、高质量音频再现和图像识别等新一代汽车导航系统的必要需求。
此外,65 nm工艺有助于降低功耗和发热量。两个CPU内核还可以独立设定三种低功耗模式,从而进一步降低了功耗。

(2)用于超高速数据传输的片上DDR3-SDRAM存储器接口和PCI-Express总线接口
新的SH7786集成了一个工作在533 MHz的专用32位总线,以连接高速DDR3-SDRAM(双数据速率3同步DRAM),有助于实现每秒高达4.27 GB的超高速数据传输。此外,多个PCI Express总线接口支持高达800 MBps高速数据吞吐量的大容量数据传输。

这将有助于实现精密绘图,如复杂和实景3D图形的平滑滚屏。
此前的90 nm SH7786产品与DDR2-SDRAM兼容,工作电压为1.8 V。新型65 nm型号支持DDR3-SDRAM,工作电压为1.5 V,可以进一步降低总系统功耗。

(3)多核系统设计支持的开发环境
支持多核的E10A-USB片上调试仿真器可作为SH7786的开发工具。它提供包括同步执行、同步中断,以及单CPU中断和重新执行等一系列灵活的同步调试功能。
QNX%26reg; Neutrino%26reg; RTOS和QNX Momentics%26reg; 开发套件完全支持新的SH7786。


%26lt;典型应用%26gt;
%26#8226; 汽车导航系统、游戏机、数字家庭电子产品、工业设备,等等。


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