繁体中文
高级搜索
 
首页 | 电子技术应用 | 行业最新动态 | 行业最新产品 | 软件资料下载 | 电路图纸欣赏 | 博客文章精选 | 电子精品论坛 | 电子技术贴吧

当前位置:首页 >> 电子技术应用 >> PCB技术----应用 >> RF电路设计讲座(3)射频传输线的传导原理和应用
RF电路设计讲座(3)射频传输线的传导原理和应用
作者:司马余   来源:中国PCB技术网 发表时间:2008-06-30  字号:  

电波是由相互垂直的电场(Electric Field)与磁场(Magnetic Field)组成。两者交互变化的强度取决于输至传输线(transmission line)或天线上的交流信号之大小而定。如图一所示。
 
图一:电波的组成

若依传导(propagation)方向与电场或磁场的关系,可以将电波分成三大类:横向电磁波(Transverse Electromagnetic Wave)或简称TEM波、横向电波(Transverse Electric Wave) 或简称TE波、横向磁波(Transverse Magnetic Wave) 或简称TM波。横向电磁波的定义是,电波的传导方向上没有电场和磁场的成份,电场和磁场的变化方向是在与传导方向垂直的平面上,所以又称为「平面电磁波(Plane Wave)」,图一就是一个典型的平面电磁波。

横向电磁波传输线的一般特性

TEM波模式是由下面方程式来描述,而后两者可用来描述等效的二维静电问题:
(TEM模式) (1)
上述方程式中的第二式暗示着 可表示二维静电电位之能量梯度。因此第三式变成拉普拉斯(Laplace)的电位方程式。如此则电场可由下面的方程式取得:
(等效静电问题) (2)
因在静电问题中,电场线必须始于正电荷导体并结束于负电荷导体,所以TEM模式只能在同轴缆线或双芯线(two-wire line)等多导体中被传导。中空的(hollow)波导(waveguide)并不支持TEM模式。

图二是一个双导体传输线的横向截面积。此截面的外形是任意的。


图二:双导体传输线

在静电的解决方案中,这些导体是等电位的(equipotential)。设为两个导体上的电位常数,则导体间的电压差为。电场线会垂直导体(a)出发并垂直于导体(b)结束。

被认定为等电位线的磁场线,根据方程式(1),垂直于电场线。磁场线本身彼此包围着,并围绕着两个导体。

特别是在导体表面上,磁场是正切的。根据安培定律,每个导体周围磁场的线积分,会在导体的沿z方向,产生流动的总电流,这两个电流是大小相等、方向相反的。

阻抗、电感与电容

因为电波是沿z方向传导,频率为、波数(wavenumber)为,电压V与电流I的z、t函数为:
(3)
针对后向移动的电压及电流波,我们必须以取代的比率维持不变且独立于z。这便是线路的特征阻抗(characteristic impedance):
(线路阻抗) (4)
除了阻抗Z外,TEM线路的特征还有每单位长度的电感及电容。就不会产生损失的线路而言,这三个量Z、的关系如下:
(每单位长度的电感及电容) (5)
此处的是两导体间电介质的特征阻抗。利用的相除与相乘,可以得到下列关系:
(6)
线路的速度系数是的比率,这里的是电介质的折射率,此电介质是假设不具磁性的。

因为,所以导波波长为,此处的是自由空间(free space)之波长。对传输线的有限长度l而言,代表线路的电气长度(electrical length),和薄膜(thin-film)层中的光学长度(optical length)扮演相同的角色。

方程式(5)与(6)的结果适用于任何的TEM线路。从图三中可导出这两个方程式。

在图三中,延着由A至B的任意路径对做积分,可求得电压V。然而,若选择的路径为E场线,则,且V为:
(7)
同理,延着围绕A的任何封闭路径,对做积分可求得电流I。若选择的路径为H场线,例如导体的圆周,我们将得到:
(8)
导体A的一个无穷小区域上的表面电荷为,这里的是表面电荷密度。因为导体是假设为理想状态,则边界条件的要求为等于D场的法线分量,亦即。则

图三:电荷和磁通量

若沿整个导体A的圆周做积分,将会得到每一单位z长度的总表面电荷:

但由方程式(1)得到的关系式,及利用方程式(8)之结果,可以得到:
(9)
因为与每单位长度之电容和电压有关,所以可得到:

接下来,考虑两导体上的点A、B之间的E场线。因为向量是与此区域垂直的,所以通过无穷小区域的磁通量(magnetic flux)为

若由A积分到B,则连结两导体的每单位z长度之总磁通量为:

以 来取代,并利用方程式(7),可得出:


因为磁通量与电感的关系是。因此:


传输功率

Z、之间的关系也可用能量的考虑来导出。延着线路传输的功率(transmitted power),是由将线路横截面S上的Poynting向量之z分量积分得到的。在TEM模式下,,所以:
(10)
方程式(10)在一般表示时,都会重写成:
(11)
在本文最后会例出几个实例来验证上述的方程式。利用下面的Green等式也可证明:

,可得:

则二维的高斯(Gauss)定理暗示了:

这里的是到导体的向外法线(是由区域S向外的法线)。因导体是等电位表面,所以在导体A上,而在导体B上为。利用方程式(9),且在导体A与B上,,则可得:


沿着此线路的电磁能量分布,是以每单位长度在平均时间内的电能与磁能密度来描述:

利用方程式(10),可将上式重写成:

因此,且总能量密度为,这暗示了能量速度将会是。我们也可以利用线路的电容及电感来表示能量密度:
(12)



功率损失、电阻与电导

假定在最佳传导状况下,计算场型(field pattern)与特征阻抗。因电介质及导体的电阻发热所造成之损失,可用传输线的另两个特征常数来量化,也就是每单位长度的电阻与电导。导体与电介质损失所导致的衰减系数:,是用及Z来表示:
(13)
它们可由下面的一般项式导出。是在导体壁上的感应表面电流,这里的是到导体壁的向外法线。

利用BAC-CAB法则,可得出。但是,在导体A的表面上是平行于的,而在B上则是不平行的。因此。此结果产生了,其在A上指示着 Z的方向,而在B上指示着方向。利用这些式子,可得出导体的每单位z长度之功率损失为:
(14)
因为而与总电流I相关(见方程式(8)),因此可用来定义每单位长度的电阻
(导体欧姆损失) (15)
利用方程式(11),得出衰减系数为:
(16)
如果导体间的电介质是以导电率或损失切线做轻微的传导,则将会有一些电流在两导体之间流动。

每单位z长度的感应并联电流是与电导相关,。电介质中的并联电流密度为。由导体A流向导体B的总并联电流,是沿着导体A的圆周对做积分求得:


利用方程式(9),可得出:

此结果产生的电介质损失常数将为:

或者,因并联电流产生的每单位长度之功率损失将为,因此可用下式来计算:

一般在实用上都以损失切线与波数,来表示电介质的损失和并联电导:
(17)
上面已经将RF传输线的原理和特性,详细地探讨完毕。底下我们将讨论三个应用实例:平行平板线、微带线、同轴缆线。在每个例子中,我们会讨论其先天的静电问题,及求得特征阻抗Z与衰减系数

平行平板线

在图四中,平行平板线是由两个宽度w的平行传导板所组成,这两个平板之间是以电介质材料分开,间隔(高度)是h。像是在微波集成电路里,所使用的微带线就是属于这种线路。
 
图四:平行平板线

由于w与h的值是多变化的,因此在平板末端的边缘效应是不可以被忽略的。事实上,边缘需要电场来拥有纵向的分量,因此严格来说,它并不支持TEM模式。

然而在假设宽度远大于高度时,可以忽略边缘效应,并假设电场是独立于x坐标的。

此静电问题是等效于一个平行平板电容器。因此,此电场将只有y分量,且在平板之间是不变的。同理,磁场将只有x分量。经由方程式(7)与(8):

因此,线路的特征阻抗将为:

在上式中,我们使用。经由方程式(10)所推得的传输功率为:

经由方程式(5)所推得的每单位长度之电感与电容为:

在导体顶部的表面电流为,在导体底部则为。因此,每单位z长度的功率损失为:

与方程式(15)相比较,我们确认每单位长度的电阻为。因此,由导体损失所产生的衰减常数为:
(18)

微带线

图五所示的是实际的微带线,其宽度与高度的比率并不一定要远大于一,且可为区间中的任意数。典型的高度h是大约数个mm。

边缘效应是无法完全被忽略的,而且关于平行平板线的电场之简单假设是无效的。举例来说,假设一个z方向的传导波有z、t的函数,其中 在电介质及空气中是相同的,则纵向的横截分解为:

特别的是y分量:


图五:微带线

边界条件需要分量,它们不断地穿过电介质与空气的接口。其条件如下:

结合此两个条件,可得到:

审视图五中的边缘型态,我们注意到电场在空气中有非零的x分量。因此,上式的左边不可以为零,且电波不可以假设为标准的TEM。

然而,可以假设在空气及电介质中都不大,因为横向电场的主要方向是在y轴。这会产生所谓的「准TEM(quasi-TEM)近似」现象,电波被假设为近似TEM,且来自TEM的偏差效应,会被线路阻抗及速度系数的经验公式纳入计算。

尤其是,使用一个有效的电介质均匀地充填整个空间,以取代空气与电介质的接口,这就是一个TEM传导模式。若我们以符号表示有效电介质的相对「介电常数(permittivity)」,则线路的波长与速度系数将可用其自由空间的值来表示:

有许多现存的经验公式,是关于线路的特征阻抗及有效电介质常数。Hammerstad与Jensen的公式是其中最精确者之一:
(19)
是电介质的相对介电常数,而a、b的量被定义为:

这些公式的精确度在时,大于0.01%;在时,大于0.03%。同理,特征阻抗的经验公式为:
(20)
,且函数被定义为:

其精确度在,且时,大于0.2%。在比率到达最大极限或时,方程式(19)和(20)有变成平行平板线的倾向:

一些常见的基板层电介质材料被应用于微带线中,它们包括:
1. 矾土(alumina):是一种具有陶瓷外型的氧化铝(Al2O4),
2. 2.RT-Duroid:是一种铁氟龙(teflon)复合材料,

宽度与高度的实际比率是在之间,而特征阻抗的实际值是在10~200欧姆之间。表一分别显示了在两种情况下,Z与在u上的关系。


表一:微带线的特征阻抗和有效介电常数
 
微带线的合成需要先决定比,以得出一个特定的特征阻抗Z。方程式(20)的逆向计算(以Z来解u)是不可行的,直接合成的经验公式是存在的,但并不像方程式(20)那样精确。假定一个想要的Z值,假设可由下式计算:
(21)
时:
(22)
这里的A、B是:

这些公式的精确度大约是1%。这方法可透过反复的改良过程,以达到实质上与方程式(20)一样的精确度。从方程式(21)、(22)计算u开始,Z的值是由方程式(20)计算。如果Z大于线路阻抗要求值的0.2%的话,则u需做轻微的改变,直到精确度达到要求的水平。因为Z是随着u做单调递减的,如果Z小于要求值,则将u降低少量的百分比,反之,则将u增加少量的百分比。

MATLAB的三个函数mstripa、mstrips、mstripr可分别执行分析、合成与改良过程。它们的使用方式为:
[eff,Z] = mstripa(er,u); % 分析方程式(19)与(20)
u = mstrips(er,Z); % 合成方程式(21)与(22)
[u,N] = mstripr(er,Z,per); % 改良

函数mstripa也接受一个具有数个u的向量,并传回对应的具有与Z之向量。在mstripr中,输出的N值是收敛所需的反复计算次数,而per是要求的百分比误差,若此参数省略时,其默认值为0.2%。

例一:若,则有效介电常数与阻抗,可由MATLAB的呼叫函数来计算:
u = [2; 4; 6];
[eff, Z] = mstripa(er,u);
则输出的结果为:
欧姆
例二:为比较mstrips与mstripr的结果,我们设计了一个,且特征阻抗Z=50欧姆的微带线。我们得出:

第一个解式与要求的50欧姆阻抗间,有0.107%的误差,而第二个的误差为0.002%。

另一个例子,如果Z=100欧姆,函数mstrips的计算结果是、 欧姆,误差为0.050%;然而mstripr的计算结果为欧姆,误差为0.002%。

使用微带线时,还有好几个其它效应必须被考虑,譬如有限的带线厚度、频率散布、电介质与导体的损失、辐射及表面波。

可将方程式(17)乘上一个有效电介质的充填系数q,以求得电介质损失:

一般矾土(alumina)与duroid基板的损失切线值(loss tangent)约为0.001。可用方程式(18)求得导体损失的近似值:


同轴缆线

图六中的同轴缆线是最广泛被使用的TEM传输线。它是由两个同中心的导体所组成,内部的导体半径为a,而外部的半径为b,两导体间的空间是以电介质(譬如聚乙烯或铁氟龙)来充填。

其等效静电问题可以用圆柱坐标方便地解决。电位满足拉普拉斯方程式:

因为圆柱的对称性,电位不会因方位角而改变。因此:

这里的A、B是积分的常数。若外部导体是接地的,则在,且内部导体是保持在电压V,,因此常数A、B各为:,所产生的电位为:

因此,电场将只有一个辐射分量,而磁场则只有一个方位角的分量 :
(23)
沿着内部导体周围对做积分,可求得电流:
(24)
因此而产生的线路之特征阻抗,和每单位长度的电感与电容将为:
(25)
将方程式(24)的结果代入(23),则我们可以下列的等式来表示磁场:
(26)
此式也能经由对半径的内部导体,直接使用安培定律而得到,也就是
传输功率可用电压V来表示;或者用线路内电场之最大值来表示,此值发生在,也就是 :


图六:同轴缆线
 
例三:一个商用聚乙烯(polyethylene)填充的RG-58/U缆线,有阻抗53.5欧姆、66%的速度系数、内部导体的半径mm(AWG 20线径),且最大的均方根(rms)工作电压为1900伏特。试求出外部导体的半径b、每单位长度的电容、最大传输功率、和在缆线内部的最大电场值。若所要求的阻抗值为50欧姆时,外部半径b应为多少?

解答:聚乙烯的相对电介质常数是,所以。速度系数是。则欧姆,我们得到:
mm
因此,。若Z=50,上面的计算将得出mm,且。每单位长度的电容可由下式求得:
pF/m
因此当欧姆时,我们可使用pF/m。峰值电压则与其均方根值相关。因此,最大传输功率为:
kW
发生在内部导体的电场峰值将为:
MV/m
这可与3MV/m的空气之电介质崩溃(dielectric breakdown)做比较。

例四:大部份的缆线都有一个50或75欧姆的名义阻抗(nominal impedance)。精确的值要视制造商与缆线而定。举例来说,一个50欧姆缆线可能实际上的阻抗为52欧姆,75欧姆缆线可能实际上是73欧姆缆线。

下表列出了一些常用缆线及其内部导体之AWG线径(gauge)的数目、内部导体的半径(mm)及其名义阻抗。充填此缆线的电介质为的聚乙烯。
 
一般最常使用的缆线是50欧姆的,像是RG-58/U。家用有线电视使用的是75欧姆缆线,像是RG-59/U或RG-6/U。

计算机网络中的细以太网络10Base-2,是使用RG-58/U或RG-58A/U,后者与RG-58/U相似,但具有标准的内部铜芯。粗以太网络10Base-5使用较粗的RG-8/U缆线。

因为偶极天线有一个输入阻抗约73欧姆,所以RG-11、RG-6、RG-59等75欧姆的缆线可以用来馈给(feed)天线。

接下来要求出因导体损失所导致的衰减系数。每单位长度的功率损失可由方程式(14)求得。假设,代入方程式(26)可得出在导体A与B表面上的磁场:

因为这些是独立于方位角的,所以沿着圆周做积分将提供的系数。因此:

由上可得:

使用方程式(25),最后可得到:

方程式(17)描述了电介质中的欧姆损失。总衰减常数将是导体与电介质衰减的总合:
(衰减)(27)

衰减将是,单位为dB/m。此式有点低估了实际的损失,但它大体上是一个不错的近似值。会随着频率递增,而则随f递增。当a、b愈小时衰减会愈大。

结语

射频传输线是馈线和高频主机板布线设计的基础,为了降低功率损失和提高增益,工程师必须慎选线材和按照本文所提及的原理来设计。此外,伫波比(standing wave ratio)、阻抗匹配、史密斯图(Smith Chart)….等,也是在设计射频传输线时,必须应用和注意的。



!注意:如果您发现此文章出现影响您的阅读的状况,请从浏览器地址栏里复制本文的链接到留言本报告给站长解决!
  • 上一篇: 基于FPGA的光电抗干扰电路设计
  • 下一篇: RF电路设计讲座(4)射频接口和射频电路的特性

  • >> 联系我们请给我们留言·留言本
    本站所有提供的信息软件资料均来自网络,版权及著作权归原作者所有,如果无意中侵犯了您的相关权利或触及法律法规,请给我们留言, 我们将在24小时内删除。
      浙ICP备05071687号  电子技术精品网