如果使用图1中的电路,那么您不用求助于电噪声很大的DC/DC转换器,也不必在降压电阻器中浪费功率,就能从电压较高并经整流的正弦电压源获得5VDC等很低的稳定电压。该应用需要一个稳定的5VDC源,但是变压器向全波桥式整流器供应18Vrms。在充电阶段,两个等值电解电容器C₁和C₂在通过正向偏置二极管D₁和D₂串联时,会接收充电电流。一个增强型P沟道MOSFET晶体管Q₁,型号为 IRF9530,其栅极接收了由于齐纳二极管D₄的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压,因此保持断开。每个电容器均充到大约为整流电压峰值的一半与D₁和D₂带来的正向电压降之间的差值。全波桥式整流器D₅,即Graetz桥,产生了这些电压降（参考文献1）。

当放电阶段开始时,D₁获得反向偏置,而电容器C₂则通过稳压器IC₁带来的负载放电。随后,二极管D₁的阳极电压继续下降,Q₁的栅极至源极电压变为负,并且晶体管导通,使C₁能通过正向偏置二极管D₃向负载放电。事实上,两个电容器串联充电,并且向负载并联放电,从而把IC₁输入端的原始整流电压和纹波电压降低了一半。在C₁放电期间,齐纳二极管D₄把Q₁的栅极至源极电压箝位在其最高额定值范围内,由此来保护Q₁。

为了正常运行,该电路需要最低负载电流,稳压器的静态耗电电流通常够用。另外,电容器C₂一直充到来自D₅的峰值电压。C₁和C₂的值以及其余元件的额定值取决于要求的最高负载电流。电阻器R₁和R₂的值并不关键。请注意Q₁充当开关;选择某种导通电阻很低的器件就能限制Q₁的功率耗散。