Novellus Systems公司近日发布了用于300-mm晶圆生产的化学机械研磨（CMP）平台,满足并超越了65nm及其以下规格标准的技术和经济需求。Xceda 完全是为了应对新一代多层铜/低k结构中的平面化挑战而设计的,通过将溶剂利用率提高到40%,极大地减小了总拥有成本（CoO）。

Novellus Systems总裁 Sass Somekh博士表示：“我们深信Xceda所提供的核心技术将引领我们扩展到32-nm技术标准,而无需对平台进行分裂性的改进。事实上,近期来自领先半导体研究机构的数据表明：Novellus的CMP技术方法完全可以应用于多孔渗水的超低k值（ULK）材料,生成令人满意的平面化结果,其中材料的k值低于2.0。此外,Xceda过程还被加以优化以实现有效的除铜,同时确保超低k值（ULK）材料能够保持其完整性,不产生水印/缺陷。”

与传统的化学机械研磨（CMP）设备相比,Xceda 通过配备4个独立的抛光模块,建立了全新的生产率基准,这四个独立抛光模块对形成业界领先的产能是至关重要的。该设备独特的经由衬垫的溶剂管理连同其获专利的衬垫设计,形成了晶圆表面均衡的溶剂流,从而改善了一致性,同时减少了特征的凹陷和侵蚀。谈到此设备,Novellus 化学机械研磨（CMP）事业部的副总裁兼总经理Damo Srinivas 评价如下：“Xceda将帮助我们的客户实现他们的技术目标,而无需牺牲对整体生产效率有重要影响的生产率和可靠性。从根本上讲,Xceda代表了一种全新的化学机械研磨技术（CMP）－即将烦琐的工艺过程转变为更简单、更有效的步骤的技术。”

NOVELLUS力推用于65-NM以及更小规格技术标准的先进平面化系统

VLSI调查公司认为在快速增长的铜化学机械研磨（CMP）空间中,Xceda是引人注目的新产品,公司的首席执行官（CEO）兼总裁G. Dan Hutcheson 表示道：“Novellus正在再次实现这样一个目标－为了满足层出不穷的技术标准对技术和产能的需求而进行的平台设计,实现技术、生产率、成本和可靠性等困扰化学机械研磨（CMP）工艺过程的各个方面。” Hutcheson 进一步补充说：“当设备的创新特性被赋予了Novellus久经考验的铜专家技术时,它将为整个产业带来可以信赖的、用于解决65纳米以及更小规格铜馈线问题的化学机械研磨（CMP）领域的全新竞争者。”

铜化学机械研磨技术（CMP）市场是增长最快的工艺过程细分之一。据市场调查公司Dataquest 统计,2003年全球CMP市场总额为7亿2千8百万美元,预计到2008年这一数字将达到8亿4千3百万美元。分项跟踪统计表明,到2008年,铜化学机械研磨技术（CMP）的市场总额将达到4亿7千3百万美元－其增长速度是全部化学机械研磨（CMP）市场增长速度的5倍之多。

Xceda 的技术和生产率优势还能够用于其它膜层的平面化。依托于产品久经考验的产能绩效和较低的耗材利用,Novellus 已经收到了来自几个客户的第一个生产单元的制造委托

Xceda 于2004年6月12-14日期间,在美国旧金山召开的SEMICON West 上展出,展台位于旧金山的Yerba Buena Center for the Arts。

XCEDA实质

技术优势：
获得专利的抛光技术实现了低k值和超低k值材料的整合
经由衬垫的直接溶剂分配改善了一致性,减少了溶剂的使用
有效的压盘设计形成了一个嵌入式的微通道分配,实现了一致性和跨整只晶圆的溶剂高目标化分配
具备专利技术的衬垫凹槽的全新衬垫配置实现了对晶圆溶剂的精确控制,从而改善了一致性
多区域负载Multi-zone carrier（抛光头）最大化了对抛光性能的控制
先进的蒸气干燥机实现了防水电介质的无水印干燥
带电刷的或兆频超声波的可配置清洗机实现了工艺过程的灵活性

生产率优势：
高产能的4个抛光模块架构
专门的装载杯和调节装置实现了更快的、可靠的晶圆处理
可配置的清洗机支持了工艺的灵活性
紧凑、简单的设计,便于维护
工艺过程中和线上的度量控制实现了晶圆上100%的实时铜特征管理
比竞争产品少18%的处理步骤

NOVELLUS 力推用于65-NM以及更小规格技术标准的先进平面化系统

成本优势：Cost Advantages:
衬垫尺寸减小了百分之七十70
单只晶圆的衬垫成本降低了百分之50
溶剂的利用率提高到了百分之 40
（在任意模块组合下独立地使用任意损耗材料组合）
空间占用节约了百分之22
可扩展到未来的技术标准－无需高成本、复杂的平台变化