找到一个讲IGBT很好的网页(英文)：http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html

根据自己的理解翻译几句主要的，科普一下

以N沟道的为例。图一为点型结构

、

看图三的(A)，对应着图一看。

以发射极为参考，当栅电压高于VTH时，会在栅下方的P区形成电子的导电沟道。MOS管导通。两块绿色区域夹着的P这个整体构成MOS。两个红色和中间的绿色构成PNP三极管，MOS导通后，相当于能够提供三极管的基极电流，使三极管导通。电流流向如图二

图一中，结J2的一侧为轻掺杂，击穿电压很高，器件的击穿电压也就很高。缓冲区N 虽然阻止了J2 的耗尽层向集电极扩展，但同时使J3的击穿电压急剧下降。

图三的(B)为考虑寄生的等效电路图

详细内容参考英文原址