闪存有NOR和NAND两种基本的类型，两种类型的闪存性能上各有千秋：（1）NOR型闪存的存储密度低，NAND闪存的存储密度和存储容量都比较高；（2）NAND型闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度更快一些，在随机存取的应用中有良好的表现。

朋友们也许听说过，NOR型闪存的寿命不如NAND型闪存的寿命长。NAND型闪存可以读写1百万次，而NOR型闪存只能读写10万次，两者相差10倍。这是为什么呢？

我们知道，在对闪存进行写入和擦除时，要对浮置栅极进行充电或放电，而在读取数据时浮置栅极没有充放电现象。NAND与NOR寿命上之所以不同，是因为两者使用了不同的写入技术。NAND闪存的擦和写均是基于F-N隧道效应（Fowler Nordheim tunneling），电流从浮置栅极到硅基层，而NOR型闪存擦除数据仍是基于F-N隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（hot electron injection），电流从浮置栅极到源极。

NAND型闪存利用F-N隧道效应擦写数据

NOR型闪存利用热电子注入法写入数据

正是由于在写入和擦除时利用了不同的技术，使得NOR芯片在写入和擦除数据时，电流会从不同的地方经过，如此一来，加剧了介质的氧化降解，加速了芯片的老化。

节选自：陈忠民，闪存技术大比拼，微型计算机，2006年第1期