在闪存中，将晶体管导通（不管是因为浮栅极有电荷还是因为加了偏置电压）视为“1”，晶体管截止视为“0”。按照这样的规定，当输入为“1，1，1，1，1，1，1，1”时，输出数据“0”；输入为“1，1，0，1，1，1，1，1”时，输出数据“1”。对于NAND型闪存来说，只要字线输入的数据中有一个为“0”，位线上就输出“1”，其输入输出关系正好符合“与非”逻辑关系。

两种闪存在组织结构上的差异

两种闪存对应的逻辑符号和真值表

而对于NOR型闪存来说，字线上相互并联的若干个晶体管中，只要有一个晶体管导通，则位线上就将获得高电平（数据为“0”），只有全部晶体管均截止时，位线上的电平才为低（数据为“1”），输入输出信号之间为“或非”逻辑关系。

节选自：陈忠民，闪存技术大比拼，微型计算机，2006年第1期